В Шанхае создали новую память PoX в 25 тысяч раз быстрее обычной флешки

Китайские учёные из Шанхайского университета Фудань представили важный прорыв в области полупроводников – разработана сверхбыстрая энергонезависимая память новейшего поколения.

Устройство, которому присвоили наименование PoX, способно работать с огромной скоростью 400 пикосекунд, что эквивалентно 25 миллиардам операций в секунду. Это делает его самым быстрым полупроводниковым накопителем заряда на сегодняшний день. Результаты исследования опубликованы в журнале Nature.

Один из ведущих учёных проекта Чжоу Пэн сравнил производительность новой технологии с флеш-накопителями.

По его словам, PoX способно совершить миллиард операций за время, которое требуется человеку на одно моргание, тогда как обычная USB-флешка за тот же период выполнит лишь тысячу. Предыдущий рекорд аналогичных решений составлял всего два миллиона операций.

В отличие от традиционных энергонезависимых накопителей, таких как флеш-память, новая технология не уступает по скорости ОЗУ, но сохраняет данные даже без питания.

Это стало возможным благодаря уникальной структуре на базе двумерного материала с эффектом баллистического переноса и применением механизма «суперинжекции» заряда.

Разработка обещает серьёзно повлиять на развитие ИИ и технологий хранения данных, а также укрепить позиции Китая в глобальной технологической гонке.