Samsung Electronics Co. представила первую в отрасли память DDR5 DRAM 12-нм

Samsung Electronics Co., крупнейший в мире производитель чипов памяти, заявил в среду, 21 декабря, что выпустил усовершенствованный чип DRAM, использующий лучший в отрасли 12-нанометровый технологический узел, ещё больше увеличивающий его преимущество над конкурентами в технологии обработки чипов.

Чип следующего поколения с удвоенной скоростью передачи данных 5 (DDR5), изготовленный по 12-нм техпроцессу – первый в отрасли, – может похвастаться скоростью передачи данных до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). По заявлению компании, при такой скорости оборудование может передавать два фильма сверхвысокой чёткости объёмом 30 гигабайт (ГБ) в секунду.

Южнокорейский технологический гигант также заявил, что 12-нм техпроцесс повышает энергоэффективность, потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая модель DRAM.

В процессе изготовления микросхем нанометры относятся к размеру схемы транзисторов, которые могут быть размещены на микросхеме. Чем ниже число нанометров, тем более продвинута технология, обещающая более высокую скорость вычислений, более высокую производительность и меньшее энергопотребление.

Samsung заявила, что также подтвердила производительность своей 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием техпроцесса класса 12 нм. Это было сделано в ходе теста на совместимость с производителем процессоров Advanced Micro Devices Co.