Micron Technology представила память UFS 4.0 для мобильных устройств

Компания Micron представила собственную версию хранилища UFS 4.0 для будущих смартфонов, планшетов и других устройств. Флэш-хранилище следующего поколения отличается исключительной скоростью чтения и записи, превышающей стандарт PCIe Gen 3.0, а также повышенным уровнем энергоэффективности.
Новая память UFS 4.0 построена на технологии Micron с 232 слоями NAND, которая позволяет американской компании добавлять больше битов на квадратный метр, что приводит к увеличению плотности и снижению энергопотребления. Это делает новую память пригодной для широкого спектра приложений.
Увеличение скорости последовательного чтения и записи – одна из самых сильных сторон хранилища UFS 4.0, и, согласно данным Micron, её флэш-память превосходит чипы Samsung UFS 4.0.

Производитель заявляет, что его память NAND имеет скорость последовательного чтения до 4300 МБ/с, а также записи до 4000 МБ/с. Micron утверждает, что с этими изменениями приложения для смартфонов будут запускаться на 15% быстрее, а мобильные устройства будут загружаться на 20% быстрее, чем с UFS 3.1.
Также сообщается, что новая технология на 25% более энергоэффективна, чем существующий стандарт, с преимуществом записи на 10% по сравнению с конкурентами.
Micron представила интересную статистику, заявив, что пользователи могут загружать два часа потокового контента 4K менее чем за 15 секунд, что вдвое быстрее стандарта предыдущего поколения.
В настоящее время компания уже распространяет образцы своих решений UFS 4.0 ёмкостью 256 ГБ и 512 ГБ, а также 1 ТБ среди производителей смартфонов и поставщиков чипсетов по всему миру. Масштабное производство планируется начать уже в этом году.