Samsung первой в мире продемонстрировала вычисления в памяти на основе MRAM

Исследователи из Samsung Electronics исследовали и реализовали первые в мире вычисления в оперативной памяти, за основу которой была взята MRAM (магниторезистивная оперативная память). Невероятные результаты этого достижения были опубликованы во всемирно известном научном журнале Nature в среду, 12 января.

Обычный компьютер состоит из микросхемы памяти, отвечающей за хранение информации, и микросхемы процессора, отвечающей за работу с данными. А вот вычисления в памяти MRAM – это более современная технология микросхем, которая не только хранит данные в памяти, но и выполняет операции с данными. Она привлекает внимание как мощная технология для создания маломощных чипов так называемого искусственного интеллекта (ИИ). Это будет уже совершенно новое поколение ИИ, поскольку технология потребляет значительно меньше энергии за счет того, что большой объем информации в памяти обрабатывается параллельно в памяти без необходимости перемещения.

Реализация вычислений в памяти с использованием энергонезависимой памяти, такой как RRAM (резистивная RAM) и PRAM (RAM с фазовым переходом), уже несколько лет вызывает большой интерес во всем мире. Однако MRAM, совершенно иная энергонезависимая память, имеющая низкое значение сопротивления, несмотря на преимущества высокой стабильности данных и высокой скорости.

Исследователи из Samsung Electronics преуспели в проектировании с низким энергопотреблением, предложив структуру вычислений в памяти, которая использует новую концепцию «суммирования сопротивлений», а не существующий метод «суммирования токов», чтобы преодолеть ограничения MRAM.

Сообщается, что в этом исследовании в качестве первого автора участвовали Чон Сын Чхоль, научный сотрудник Высшего технологического института Samsung Electronics, и Хам Дон Хи, научный сотрудник Высшего технологического института, а также профессор Гарвардского университета, и Ким Сан-джун, магистр Высшего технологического института, участвовавшие в качестве соавторов. Исследователи из основного технологического института Samsung Electronics, исследовательского центра полупроводников и литейного отдела также принимали участие в этой работе.

Добавлено: 13-01-2022, 20:37
0
2694

Похожие публикации


Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх